品牌 | 冠亞制冷 | 價格區(qū)間 | 20萬-50萬 |
---|---|---|---|
產地類別 | 國產 | 應用領域 | 化工,生物產業(yè),石油,制藥,綜合 |
無錫冠亞冷熱一體機典型應用于:
高壓反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、雙層玻璃反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、微通道反應器冷熱源恒溫控制;
小型恒溫控制系統(tǒng)、蒸飽系統(tǒng)控溫、材料低溫高溫老化測試、
組合化學冷源熱源恒溫控制、半導體設備冷卻加熱、真空室制冷加熱恒溫控制
型號 | SUNDI-125 SUNDI-125W | SUNDI-135 SUNDI-135W | SUNDI-155 SUNDI-155W | SUNDI-175 SUNDI-175W | SUNDI-1A10 SUNDI-1A10W | SUNDI-1A15 SUNDI-1A15W | |||||||
介質溫度范圍 | -10℃~+200℃ | ||||||||||||
控制系統(tǒng) | 前饋PID ,無模型自建樹算法,PLC控制器 | ||||||||||||
溫控模式選擇 | 物料溫度控制與設備出口溫度控制模式 可自由選擇 | ||||||||||||
溫差控制 | 設備出口溫度與反應物料溫度的溫差可控制、可設定 | ||||||||||||
程序編輯 | 可編制5條程序,每條程序可編制40段步驟 | ||||||||||||
通信協議 | MODBUS RTU 協議 RS 485接口 | ||||||||||||
外接入溫度反饋 | PT100或4~20mA或通信給定(默認PT100) | ||||||||||||
溫度反饋 | 設備導熱介質 溫度、出口溫度、反應器物料溫度(外接溫度傳感器)三點溫度 | ||||||||||||
導熱介質溫控精度 | ±0.5℃ | ||||||||||||
反應物料溫控精度 | ±1℃ | ||||||||||||
加熱功率 kW | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
制冷量 kW | 200℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | ||||||
20℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
-5℃ | 1.5 | 2.1 | 3.3 | 4.2 | 6 | 9 | |||||||
流量壓力 max L/min bar | 20 | 35 | 35 | 50 | 50 | 75 | |||||||
2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2.5 | ||||||||
壓縮機 | 海立 | 艾默生谷輪/丹佛斯渦旋壓縮機 | |||||||||||
膨脹閥 | 丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥 | ||||||||||||
蒸發(fā)器 | 丹佛斯/高力板式換熱器 | ||||||||||||
操作面板 | 7英寸彩色觸摸屏,溫度曲線顯示、記錄 | ||||||||||||
安全防護 | 具有自我診斷功能;冷凍機過載保護;高壓壓力開關,過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。 | ||||||||||||
密閉循環(huán)系統(tǒng) | 整個系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng),高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份,系統(tǒng)在運行中不會因為高溫使壓力上升,低溫自動補充導熱介質。 | ||||||||||||
制冷劑 | R-404A/R507C | ||||||||||||
接口尺寸 | G1/2 | G3/4 | G3/4 | G1 | G1 | G1 | |||||||
水冷型 W 溫度 20度 | 600L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 800L/H 1.5bar~4bar G1/2 | 1000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1200L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1600L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 2000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | |||||||
外型尺寸(水)cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | |||||||
外形尺寸 (風)cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | 70*100*175 | |||||||
隔爆尺寸(風) cm | 45*110*130 | 45*110*130 | 45*110*130 | 55*120*170 | 55*120*170 | 55*120*170 | |||||||
正壓防爆(水)cm | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 120*110*195 | |||||||
常規(guī)重量kg | 115 | 165 | 185 | 235 | 280 | 300 | |||||||
電源 380V 50HZ | AC 220V 50HZ 3.6kW | 5.6kW | 7.5kW | 10kW | 13kW | 20kW | |||||||
選配風冷尺寸cm | / | 50*68*145 | 50*68*145 | 50*68*145 | / | / |
半導體生產過程是一個復雜且精細的工藝過程,其中溫度控制是影響產品質量和性能的關鍵因素之一。接下來,冠亞制冷為您介紹半導體生產過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的使用注意事項,以確保生產過程的穩(wěn)定性和產品質量的可靠性。
一、半導體生產過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的選擇與安裝
在選擇溫度控制裝置時,應根據半導體生產過程的實際需求進行選型??紤]測試環(huán)節(jié)的溫度范圍、精度要求、響應時間等因素,確保所選裝置能夠滿足生產過程的溫度控制需求。同時,注意選擇具有良好穩(wěn)定性和可靠性的溫度控制裝置,以保證生產過程的順利進行。
在安裝半導體生產過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置時,應遵循相關規(guī)范,確保裝置安裝穩(wěn)固、連接可靠。對于需要接入電源的溫度控制裝置,應使用符合要求的電源插座,并確保電源電壓穩(wěn)定,避免對裝置造成損壞。此外,安裝位置的選擇也很重要,應確保裝置遠離熱源、震動源和腐蝕性氣體,以保證其正常運行和延長使用壽命。
二、半導體生產過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的操作與維護
在操作半導體生產過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置時,應遵循設備的操作指南,按照規(guī)定的步驟進行操作。在測試前,應對裝置進行預熱和校準,以確保其準確性。在測試過程中,應密切關注溫度控制裝置的運行狀態(tài),如發(fā)現異常情況應及時處理。同時,應避免在裝置周圍放置雜物,以免影響其正常運行。
對于半導體生產過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的維護,應定期進行清潔和檢查。清潔時,應使用干燥的軟布擦拭裝置表面,避免使用腐蝕性清潔劑。檢查時,應關注裝置的連接是否緊固、傳感器是否損壞等。如發(fā)現異常情況,應及時聯系專業(yè)人員進行維修或更換。
三、半導體生產過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的安全使用
在使用半導體生產過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置時,應注意安全事項。應避免在高溫環(huán)境下長時間操作裝置,以免燙傷或引發(fā)火災等事故。其次,對于需要接觸高溫部分的操作,應佩戴防護手套和防護眼鏡等個人防護裝備,確保操作安全。
四、半導體生產過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的記錄與監(jiān)控
為確保半導體生產過程的質量追溯和數據分析,應對溫度控制裝置的使用情況進行記錄和監(jiān)控。記錄內容包括但不限于測試時間、溫度范圍、溫度波動等關鍵參數。
總之,半導體生產過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的使用注意事項涵蓋多個方面。只有遵循這些注意事項,才能確保溫度控制裝置在半導體生產過程中發(fā)揮作用,提高產品質量和生產效率。
TTTT反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置
反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置