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簡要描述：【無錫冠亞】物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置，應(yīng)用于對玻璃反應(yīng)釜、金屬反應(yīng)釜、生物反應(yīng)器進行升降溫、恒溫控制，尤其適合在反應(yīng)過程中有需熱、放熱過程控制。解決化學醫(yī)藥工業(yè)用準確控溫的特殊裝置，用以滿足間歇反應(yīng)器溫度控制或持續(xù)不斷的工藝進程的加熱及冷卻、恒溫系統(tǒng)。
產(chǎn)品型號：SUNDI-320廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2024-04-26訪 問 量：309| 品牌 | 冠亞制冷 | 價格區(qū)間 | 10萬-20萬 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥,綜合 |
無錫冠亞冷熱一體機典型應(yīng)用于：
高壓反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、雙層玻璃反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、微通道反應(yīng)器冷熱源恒溫控制；
小型恒溫控制系統(tǒng)、蒸飽系統(tǒng)控溫、材料低溫高溫老化測試、
組合化學冷源熱源恒溫控制、半導體設(shè)備冷卻加熱、真空室制冷加熱恒溫控制
型號 | SUNDI-125 SUNDI-125W | SUNDI-135 SUNDI-135W | SUNDI-155 SUNDI-155W | SUNDI-175 SUNDI-175W | SUNDI-1A10 SUNDI-1A10W | SUNDI-1A15 SUNDI-1A15W | |||||||
介質(zhì)溫度范圍 | -10℃～+200℃ | ||||||||||||
控制系統(tǒng) | 前饋PID ,無模型自建樹算法，PLC控制器 | ||||||||||||
溫控模式選擇 | 物料溫度控制與設(shè)備出口溫度控制模式 可自由選擇 | ||||||||||||
溫差控制 | 設(shè)備出口溫度與反應(yīng)物料溫度的溫差可控制、可設(shè)定 | ||||||||||||
程序編輯 | 可編制5條程序，每條程序可編制40段步驟 | ||||||||||||
通信協(xié)議 | MODBUS RTU 協(xié)議 RS 485接口 | ||||||||||||
外接入溫度反饋 | PT100或4～20mA或通信給定（默認PT100) | ||||||||||||
溫度反饋 | 設(shè)備導熱介質(zhì) 溫度、出口溫度、反應(yīng)器物料溫度（外接溫度傳感器）三點溫度 | ||||||||||||
導熱介質(zhì)溫控精度 | ±0.5℃ | ||||||||||||
反應(yīng)物料溫控精度 | ±1℃ | ||||||||||||
加熱功率 kW | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
制冷量 kW | 200℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | ||||||
20℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
-5℃ | 1.5 | 2.1 | 3.3 | 4.2 | 6 | 9 | |||||||
流量壓力 max L/min bar | 20 | 35 | 35 | 50 | 50 | 75 | |||||||
2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2.5 | ||||||||
壓縮機 | 海立 | 艾默生谷輪/丹佛斯渦旋壓縮機 | |||||||||||
膨脹閥 | 丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥 | ||||||||||||
蒸發(fā)器 | 丹佛斯/高力板式換熱器 | ||||||||||||
操作面板 | 7英寸彩色觸摸屏，溫度曲線顯示、記錄 | ||||||||||||
安全防護 | 具有自我診斷功能；冷凍機過載保護；高壓壓力開關(guān)，過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。 | ||||||||||||
密閉循環(huán)系統(tǒng) | 整個系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng)，高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份，系統(tǒng)在運行中不會因為高溫使壓力上升，低溫自動補充導熱介質(zhì)。 | ||||||||||||
制冷劑 | R-404A/R507C | ||||||||||||
接口尺寸 | G1/2 | G3/4 | G3/4 | G1 | G1 | G1 | |||||||
水冷型 W 溫度 20度 | 600L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 800L/H 1.5bar~4bar G1/2 | 1000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1200L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1600L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 2000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | |||||||
外型尺寸(水）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | |||||||
外形尺寸 (風）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | 70*100*175 | |||||||
隔爆尺寸(風) cm | 45*110*130 | 45*110*130 | 45*110*130 | 55*120*170 | 55*120*170 | 55*120*170 | |||||||
正壓防爆(水）cm | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 120*110*195 | |||||||
常規(guī)重量kg | 115 | 165 | 185 | 235 | 280 | 300 | |||||||
電源 380V 50HZ | AC 220V 50HZ 3.6kW | 5.6kW | 7.5kW | 10kW | 13kW | 20kW | |||||||
選配風冷尺寸cm | / | 50*68*145 | 50*68*145 | 50*68*145 | / | / | |||||||
隨著科技的不斷進步，半導體行業(yè)制程工藝過程中，高低溫控溫設(shè)備扮演著一定的角色。本文將探討半導體行業(yè)用高低溫控溫設(shè)備在該行業(yè)的應(yīng)用。
一、高低溫控溫設(shè)備的重要性
在半導體生產(chǎn)過程中，許多工藝步驟需要在特定的溫度環(huán)境下進行。例如，某些材料的生長、薄膜的沉積、晶圓的蝕刻等過程都需要準確控制溫度。過高或過低的溫度都可能導致產(chǎn)品質(zhì)量下降，甚至導致生產(chǎn)失敗。因此，高低溫控溫設(shè)備對于保證半導體生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。
二、高低溫控溫設(shè)備的應(yīng)用
1、生長和沉積過程：在半導體材料的生長和薄膜的沉積過程中，需要準確控制溫度以保證材料的結(jié)構(gòu)和性能。高低溫控溫設(shè)備能夠提供穩(wěn)定的溫度環(huán)境，從而確保這些過程的順利進行。
2、晶圓蝕刻：晶圓蝕刻是半導體制造過程中的步驟之一。在這個過程中，需要準確控制溫度以保證蝕刻劑的活性和蝕刻速率。高低溫控溫設(shè)備能夠滿足這一需求，從而確保晶圓蝕刻的質(zhì)量和效率。
3、測試和封裝：在半導體產(chǎn)品的測試和封裝過程中，也需要準確控制溫度。高低溫控溫設(shè)備能夠提供各種測試所需的溫度環(huán)境，從而確保產(chǎn)品的性能和可靠性。
總之，高低溫控溫設(shè)備為半導體生產(chǎn)提供了穩(wěn)定的溫度環(huán)境，從而保證了生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。
TT物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置
物料制冷加熱循環(huán)器 高低溫液體循環(huán)裝置
